Главная
О компании
О компании
История развития
Собственное производство
Патенты и сертификаты
Новости
АО «НТО» принимает участие в Российском Форуме «Микроэлектроника 2024»
АО «НТО» получила статус «Национального чемпиона»
Выставка ExpoElectronica 2024
Итоги участия АО «НТО» в выставке ExpoElectronica 2023
Приглашаем вас посетить наш стенд на выставке ExpoElectronica
АО «НТО» приняло участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2022»
ЗАО «НТО» – лауреат Премии ELECTRONICA в категории «Базовые технологии и средства производства электроники»
Выставка ExpoElectronica 2022. Открыто онлайн голосование
Форум «Микроэлектроника 2021»
Выставки ЭкспоЭлектроника и ЭлектронТехЭкспо 2021
Международный форум "Микроэлектроника 2020"
V Международный Форум «Микроэлектроника 2019»
IV Международный семинар по ультрафиолетовым материалам и приборам (IWUMD-IV)
Выставка VacuumTechExpo 2019
XXIII Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
Конференция EuroMBE 2019
Выставка VacuumTechExpo 2018
IV Форум регионов России и Беларуси
Выставка Вакуумтехэкспо 2017
Конференция EUROMBE 2017
XXI Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
Конференция III-N 2017
Выставка "ВакуумТехЭкспо"
XX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Поздравляем с наступающим Новым годом и Рождеством!
ЗАО «НТО» выпустила модернизированную версию установки электронно-лучевого напыления STE EB71
Усовершенствованная система молекулярно-лучевой эпитаксии SemiTEq STE35
Премия "Лучший инновационный продукт в сфере высоких технологий»
Выставка "ВакуумТехЭкспо"
Выставка "Новая Электроника-2015"
Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии (EUROMBE 2015)
Конференция CS International 2015
Семинар в Дели, Индия
XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Заказ на поставку установки Молекулярно-лучевой эпитаксии в Университет г. Торонто (Канада)
Новые ICP-RIE, ICP-PECVD и PVD системы SemiTEq для микроэлектроники
Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Публикация в Compound Semiconductors
Визит Госсекретаря Союзного государства России и Белоруссии
Semicon Russia 2013
EURO MBE 2013
Открытые инновации 2012
MBE2012
XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Каталог продукции
Установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Установки физического осаждения
Установки быстрой термической обработки и отжига
Установки для плазмохимической обработки
Узлы и комплектующие
Комплексные решения
Прикладная лаборатория
О Прикладной лаборатории
Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’
Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы
Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники
Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6
Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений
Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения
STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления
STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение
Услуги и сервис
Контакты
Главная
Установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Установки физического осаждения
Установки быстрой термической обработки и отжига
Установки для плазмохимической обработки
Узлы и комплектующие
Комплексные решения
Результаты поиска
По вашему запросу "" ничего не найдено.