Установка предназначена для выращивания нитридов третьей группы с использованием аммиака в качестве источника активного азота. В рамках технологического запуска проведено 9 эпитаксиальных процессов по выращиванию многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN, из которых 5 с целью калибровки технологических параметров установки и 4–тестовые DHEMT-структуры.
Электрофизические параметры, измеренные на тестовых структурах демонстрируют приборный уровень гетероструктур:

• подвижность 910¸1190 см ² /В×с при слоевой концентрации n=2.3¸1.4×1013 см ^-2 ;
• шероховатость поверхности выращенной гетероструктуры (rms=0.8¸1.2 нм);

и в полной мере отражают готовность установки STE3N3 к регулярному проведению технологических работ.