language

Новости

24.12.2010

Новые технологические результаты от ЗАО "Светлана-Рост"

В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3N2 были выращены многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных СВЧ-транзисторов. Однородность слоевого сопротивления по пластине диаметром 3 дюйма составляет +/- 1%.

На основе гетероструктур, выращенных на подложках карбида кремния в ЗАО «Светлана-Рост» были реализованы широкополосные усилители, работающие в диапазоне 30 МГц-4,0 ГГц с коэффициентом усиления (Gain) 17-25 дБ, выходной мощностью 2,5 Вт и КПД 30%.

Кроме того, были получены усилители мощности C-диапазона с выходной мощностью 10 Вт. Транзисторы продемонстрировали долговременную стабильность параметров в течение более 3500 часов при температуре 850С.