Новости 24.12.2010 Новые технологические результаты от ЗАО "Светлана-Рост" В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3N2 были выращены многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных СВЧ-транзисторов. Однородность слоевого сопротивления по пластине диаметром 3 дюйма составляет +/- 1%. На основе гетероструктур, выращенных на подложках карбида кремния в ЗАО «Светлана-Рост» были реализованы широкополосные усилители, работающие в диапазоне 30 МГц-4,0 ГГц с коэффициентом усиления (Gain) 17-25 дБ, выходной мощностью 2,5 Вт и КПД 30%. |
|