АО «НТО» успешно завершило разработку производственно-ориентированных установок молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии. Установки являются первыми отечественными образцами оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках Ø150 мм, а также МОС-гидридной эпитаксии (МОГФЭ) с групповой загрузкой пластин Ø100-150 мм. Оборудование предназначено для серийного выпуска гетероструктур на основе материалов А3В5 для изготовления СВЧ транзисторов и МИС, фотоприёмников, лазеров и других перспективных полупроводниковых приборов.

Установки МЛЭ сконфигурированы на основе новейшей отечественной унифицированной платформы с автоматическим транспортом подложек между камерами. Ростовая геометрия обеспечивает высокую однородность параметров выращиваемых эпитаксиальных слоёв на основе арсенида и нитрида галлия на подложках Ø100-150 мм. Объём источников материалов III-й группы увеличен до 150-300 см³ и позволяет поддерживать долговременную стабильность скорости роста, что важно при получении структур для вертикально-излучающих (VCSEL) или квантово-каскадных (QCL) лазеров.

Установка МОГФЭ оснащена реактором планетарного типа и предназначена для выращивания соединений AlGaN с групповой обработкой подложек 3-4×Ø150 мм или 5-6×Ø100 мм. Оригинальная конструкция реактора обеспечивает высокую однородность параметров эпитаксиальных слоёв по пластине в сочетании с высокой производительностью.

АО «НТО» в настоящее время также продолжает разработку производственно-ориентированных установок молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания соединений на основе антимонидов, КРТ (совместно с ИФП СО РАН), а также МОС-гидридной эпитаксии для получения гетероструктур на основе GaAs с групповой загрузкой пластин.

Новейшее отечественное эпитаксиальное оборудование позволит обеспечить независимость от внешних поставок гетероструктур – базового материала для изготовления электронной компонентной базы СВЧ-электроники и фотоники.

ОКР выполнены по заказу Минпромторга России в рамках комплексной программы «Развитие электронного машиностроения до 2030 года».