ЗАО "НТО" (SemiTEq) приняла участие в 17-ой Международной конференции по молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE2012), которая проходила с  23 по 28 сентября в местечке Нараб Япония. Этот наиболее крупный международный форум посвящен всем аспектам в области МВЕ-роста наноматериалов и гетероструктур.

Начальник Прикладной Лаборатории ЗАО "НТО" Станислав Петров выступил на конференции с устным докладом ("Low dislocation density and high mobility GaN layers for DHFET channels grown by high-temperature ammonia-MBE"), в основе которого лежат научные достижения Лаборатории ЗАО "НТО".

Первая международная конференция в области молекулярно-лучевой эпитаксии прошла в Париже, Франция в 1978 году. Каждые 2 года в рамках этой конференции встречаются все ведущие специалисты в области эпитаксиального роста для обсуждения наиболее острых вопросов и обмена опытом.