Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.

В платформе реализованы современные особенности контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Конструкция реактора оптимальна для проведения процессов с быстрой сменой процессных газов (Bosch-процесс).

Специальная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективную теплопередачу при нагреве и охлаждении пластин благодаря гелиевой подушке.

Гибкие возможности программного обеспечения позволяют реализовывать современные технологические процессы, включая осаждение и травление без внесения повреждений в полупроводниковую структуру.