language

Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6

Группа МЛЭ ФТИ им. Иоффе под руководством профессора С.В. Иванова с 2009 года проводит разработки на базедвухреакторного комплекса STE3526:

Молекулярно-лучевая эпитаксия и исследования низкопороговых лазерных гетероструктур на основе ZnMgSSeс КТ CdSe/ZnSe для эффективных A2B6/A3B5 фиолетово-зеленых электрических лазерных конвертеров;

Продемонстрированы лазерные гетероструктуры λ=530-550 нм с рекордно низким на мировом уровне значениями пороговой плотности мощности – 0,8 кВт/см2 приT=300K [1].

11

 

[1] С.В. Сорокин и др., ФТП 49(3), 342-347 (2015) (S.V. Sorokin et al, Semiconductors49(3), 331-336 (2015)).