В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены гетероструктуры GaAs для MESFET транзисторов на подложках диаметром 4 дюйма. Однородность слоевого сопротивления по пластине составляет +/- 0,75%. Воспроизводимость run-to-run в MESFET по напряжению отсечки не превышает +/-40 мВ.