Установки нового поколения построены на единой универсальной технической платформе и позволяют реализовывать широкий спектр современных технологических процессов травления (STE ICP200E) и PECVD (STE ICP200D) в индуктивно-связанной плазме на пластинах диаметром до 200мм. Платформа построена на основе бесшовных алюминиевых корпусных изделий и оснащена новым шлюзовым устройством, позволяющим производить монтаж установки «через стену чистого помещения». Модернизированный реактор меньшего объема с продуманной системой подачи газов позволяет дополнительно оптимизировать однородность проведения процессов и снизить время откачки, что, в частности, оптимально для использования системы при проведении Bosch-процессов с быстрой сменой процессных газов. Проведение регламентных работ в реакторе стало значительно легче за счёт удобного доступа ко всем внутренним узлам установки. Модернизированная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективное гелиевое охлаждение для длительных процессов травления и прецизионный нагрев с термостабилизацией в исполнении для PECVD. Гибкие возможности для программирования технологического процесса позволяют реализовывать все современные способы нанесения диэлектриков без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition”). Контроль процессов травления/нанесения производится с помощью лазерного интерферометра с возможностью остановки процесса по заданной глубине/толщине. В качестве опции предусмотрена постановка системы оптического контроля плазмы.

Новая установка STE MS900 стала второй системой в серии SemiTEq STE MS и специально разработана для проведения процессов магнетронного и резистивного (опция) испарения на групповой партии пластин с максимальной загрузкой в одном технологическом цикле: ∅150мм – 6 шт., 24шт. - 60*48 мм (с возможностью переворота), до 34 шт. - 60*48 мм (без переворота), что оптимально для решения производственных задач. Установка позволяет осаждать многокомпонентные покрытия при температуре на подложке до 500^оС с возможностью установки образца-свидетеля для измерения сопротивления и системы позиционирования подложки относительно заданного источника напыления. Система предусматривает 5 портов для установки магнетронных испарителей с мишенями до 6” (∅150 мм) и 1 порт для источника ионов, обеспечивающего режим мягкой ионной очистки подложек перед напылением. Мишени диаметром 6” обеспечивают однородность ±2% на диаметре напыления 100 мм, а магнитное крепление позволяет легко их заменять.