language

МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям

Группа МЛЭ ФТИ им. Иоффе[1] под руководством профессора С.В.  Иванова с 2009 года эксплуатирует двухреакторный комплекс SemiTEq STE3526. Ниже представлены результаты Группы в области гибридных гетероструктур с гетеровалентным интерфейсом A3B5/A2B6

  • Выращивание методом МПЭ когерентных гетеровалентных квантовых ям AlSb/InAs/(Zn,Mn)Te с магнитным двумерным электронным газом.
    Экспериментальное наблюдение гигантского эффекта Зеемана для 2D электронов в InAs КЯ посредством исследования фототока спин-поляризованных носителей
    Ya.V. Terent’ev et al., APL 99, 072111 (2011)

 

  • AlGaAs/GaAs/ZnSe/(Zn)Mn(S)Se двойные квантовые ямы для спин-инжекции.
    Формирование методом МПЭ нейтрального и термодинамически равновесного гетеровалентного интерфейса  GaAs/ZnSe. Инициация роста ZnSe на поверхности GaAs (2x4)As, декорированной фоновым потоком Se - (2x1)As&Se картина ДБЭ.
    I.V. Sedova et al., Int. Conf. MBE 2012, Nara, Japan, (2012)

    Методом магнетофотолюминесценции продемонстрирована 60% туннельная спиновая инжекция из ZnMnSe в двойные КЯ GaAs.
    F. Liaci et al., phys. stat. sol. (c) 9, 1790 (2012)


 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1]Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) является одним из крупнейших научных центров России в области исследований современной физики и технологии полупроводников.