C 9 по 11 сентября 2009 года Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана проводил XV Международную научно-техническую конференцию «ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)».

От ЗАО «Научное и технологическое оборудование» на Конференции был представлен доклад «Комплекс оборудования для формирования низкоомных омических контактов для мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN». Текст доклада Вы можете скачать здесь.