На установке-прототипе STE3N3 получены гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением и каналом квантоворазмерной толщины, продемонстрировавшие подвижность >1100 см2/В с при слоевой концентрации 1.3*1013 см2, (результаты опубликованы в материалах 14 международного симпозиума «Nanostructures: Physics and Technology»).