language

Новости

07.08.2008

Новые результаты на установках серии STE3N*

На установках молекулярно-пучковой эпитаксии серии STE3N* при выращивании на подложках сапфира квазиобъемного (толщиной 1,5 мкм) GaN с различным уровнем легирования получены рекордные результаты подвижности носителей заряда.