language

Новости

28.04.2008

Инсталляция STE3N2 в ФТИ им. Иоффе РАН

Закончен цикл технологических работ по вводу в эксплуатацию установки молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N2, предназначенной для Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе РАН.

Двухкамерная установка МЛЭ сконфигурирована для выращивания нитридов третьей группы с использованием аммиака в качестве источника активного азота и оснащена уникальной маршевой системой откачки. В рамках технологических работ проведено более 30 эпитаксиальных процессов по выращиванию многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN, заметная часть которых была направлена на калибровку технологических параметров установки, а также исследование различных режимов работы маршевой системы откачки. Электрофизические параметры, полученные на тестовых структурах, демонстрируют мировой уровень результатов:

  • для DHEMT-структуры: подвижность 1400¸1530 см 2 /В×с при слоевой концентрации n=1.5¸1.15×1013 см -2 ;
  • для «объёмного» легированного кремнием слоя GaN толщиной 1.5 мкм: подвижность 383 см 2 /В×с при концентрации n=6,8×1017 см -3