language

STE35 Трехкамерная система молекулярно-лучевой эпитаксии для роста материалов A3B5 и A3N

STE35 представляет собой современную технологическую платформу для прецизионного выращивания эпитаксиаль-ных слоев на подложках диаметром до 100 мм, а также трех подложках диаметром 2” в одном процессе. Областью применения установки МЛЭ STE35 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструк-торские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур в режиме “lab to fab”  в системах материалов InAlGaAsSb или InGaAlN в режиме РА-МВЕ. Система STE35 создана на основе более чем 25-летнего опыта наших специалистов в области разработки и производства молекулярно-лучевой эпитаксии.

Оптимальная ростовая геометрия позволяет достичь высокого качества толщины и однородности на пластинах ∅100мм. Дополнительная оптимизация однородности возможна за счет изменения расстояния источник-подложка (одновременное вертикальное перемещение пластины и нагревателя). STE35 представляет собой трехкамерную сверхвысоковакуумную систему, состоящую из загрузочной камеры, камерыпредварительной подготовки и ростовой камеры. Все камеры соединены между собой полуавтоматическая системой передачи пластины. Процесс роста контролируется системой автоматизации в ручном или автоматическом режиме с учетом заранее прописанного рецепта на основе оригинального программного обеспечения.

• ростовая камера с вертикальной ростовой геометрией, откачка ростовой камеры обеспечивается ионным насосом/криопанелью для традиционных материалов III-V или турбомолекулярным насосом/криопанелью для III-Нитридов и сублимационным насосом
• 10 портов 63CF с заслонками для установки источников материалов, 1 центральный порт 63CF для аммиака в версии для роста нитридов III группы, а также 3 дополнительных порта 40CF без заслонок для вентильных источников V группы или газовых источников (Si2H4 и т.д.). Предусмотрены отдельные порты для установки пирометра или лазерного интерферометра
• специально разработанная конструкция ростового реактора и рассчитанная система смотровых окон позволяют контролировать внешний вид всех эффузионных ячеек
• единая азотная криопанель, эффективно окружающая ростовой объем, имеет большую площадь для эффективной откачки аммиака в версии для роста нитридов III группы
• ростовой манипулятор с нагревательным элементом PBN/PG/PBN, обеспечивающим высокую однородность нагреваи быстрое изменение температуры
• комплект источников материалов — эффузионных ячеек в количестве 7 шт., а также вентильный источник V-й группы
• максимальная температура на подложке до 1100°С для системы роста нитридов III группы в режиме РА-МВЕ (Ti покрытие задней стороны подложки)
• достаточный комплект аналитического оборудования (RHEED, пирометр, масс-спектрометр или лазерный рефлектометр для анализа роста нитридов III группы)
• камера подготовки с накопителем держателей и узлом нагрева подложки, специальный порт для пассивации водородом
• шлюзовая камера с накопителем держателей подложки до 8 позиций и фланцем быстрой загрузки, оборудованным боксом инертной атмосферы
• комплект держателей подложки
• система измерения предварительного и сверхвысокого вакуума
• система прогрева камер до 200 °C без образования «горячих точек»
• комплект управляющей электроники и вакууметров
• система автоматизированного управления процессом эпитаксиального роста

• идеология “lab to fab”, позволяющая перекрывать диапазон от фундаментальных исследованийдо пилотного производства гетероструктур
• специализированные молекулярные источники Al (cold lip) для устойчивой работы и Ga (hot lip)для получения структур с малой плотностью овальных дефектов
• вентильные источники материалов V и VI группы
• оснащенность всей необходимой in-situ диагностической аппаратурой в базовой конфигурации
• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагреваростового манипулятора
• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой
• удобство работы и регламентного обслуживания

Предельный остаточный вакуум в камере роста

после прогрева

<5·10-11 Торр

Максимальный рабочий диаметр подложки

100 мм или 3х2”

Расстояние «источник-подложка»

135÷210 мм

Конструкция приводов заслонок источников

поворотный механизм на основе

магнитного ввода вращения с безударным

пневмоприводом

Материал лопастей заслонок

тантал (стандартно); молибден, PBN — опция

Конструкция нагревательного элемента ростового

манипулятора

PBN/PG/PBN

Максимальная рабочая температура ростового

манипулятора, не менее

900°С
(1100°C в исполнении РА-МВЕ для III-Нитридов) 

Температура обезгаживания подложки

в камере подготовки, не менее

650°С

Температура прогрева камеры роста, не менее

200°С

Производительность ионных насосов:

– ростовой камеры

– подготовительной камеры

– шлюзовой камеры

800 л/с

500 л/с

300 л/с