Трехкамерная система молекулярно-лучевой эпитаксии для роста нитридов металлов III группы STE3N3

Главная Каталог продукции Установки молекулярно-лучевой эпитаксии

STE3N Современная технологическая платформа для выращивания гетероструктур на основе соединений A3N

Установки STE3N предназначены для проведения опытных разработок и выпуска гетероструктур, обеспечивают широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров, в т.ч. эффективный поток азота, температуру подложки, рабочий вакуум и др.

Запатентованная конструкция ключевых узлов позволяет достигать предельно высоких температур на подложке (>1200^oC) и выращивать толстые высококачественные буферные слои AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота.

Опциональная комплектация плазменным источником азота в комбинации с инжектором аммиака позволяет выращивать активные слои InGaN, InAlN и AlGaN:Mg.

Платформа STE3N обеспечивает получение активных слоев полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дисклокаций.

МАКСИМАЛЬНАЯ ЗАГРУЗКА

1×Ø100мм

1×Ø150мм

КАМЕРА РОСТА

Предельный вакуум в ростовой камере
<5∙10^-11мм.рт.ст

7, 8 или 10 портов для установки молекулярных источников материалов с заслонками

Расход жидкого азота при циклической работе менее 25-35л/ч*

ИСТОЧНИКИ

Плазменный источник N2

Газовый инжектор NH3 с возможностью нагрева

Молекулярные источники с однозонным нагревом тигля

Молекулярные источники Al, Ga, In специальной конструкции, предотвращающей «creeping» - эффект

Молекулярные источники легирующих компонентов Si, Mg

КАМЕРА ЗАГРУЗКИ

Ручная/полуавтоматическая загрузка

Порт быстрой загрузки со смотровым окном

Накопитель держателей подложки на 8 позиций

Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки

РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР

Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения

Нагрев подложки до 1200^oC

Возможность изменения ростовой геометрии

Вращение держателя подложки со скоростью до 1 об/с

КАМЕРА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ

ПОДГОТОВКИ**

Промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций

Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения

Нагрев подложки до 1100^oC

Водяное охлаждение

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

Основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов

Дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор

Система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы)

Датчик Байярда-Альперта

Датчик Пирани

СРЕДСТВА АНАЛИТИКИ

Система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения

Анализатор остаточной атмосферы

Инфракрасный оптический пирометр

Лазерный интерферометр

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Специализированное ПО

Контроль параметров процесса в реальном времени

Дистанционное управление перемещениями манипулятора

Визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков

* при использовании фазового сепаратора в зависимости от количества работающих эффузионных источников, температуры подложки, а также режима работы и др. факторов

** опция

• 7/8/10 портов для источников материалов
• Двух- или трехкамерное исполнение
• Возможность изменения ростовой геометрии
• Возможность работы в режимах NH3-MBE и PA-MBE
• Получение методом МЛЭ слоев GaN, сравнимых по качеству с результатами МОГФЭ*, на рассогласованных подложках
• Запатентованный молекулярный источник Al с повышенным ресурсом работы
• Высокая однородность нагрева любых типов подложек благодаря запатентованным конструкциям держателя подложки и узла нагрева ростового манипулятора

____________________________________________

*МОГФЭ - осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы или МОС-гидридная эпитаксия