Двухреакторная система молекулярно-лучевой эпитаксии для роста гибридных наногетероструктур A3B5/А2В6 STE3526

Главная Каталог продукции Установки молекулярно-лучевой эпитаксии

STE3526 Двухреакторная кластерная система молекулярно-лучевой эпитаксии для роста гибридных наногетероструктур A3B5/А2В6

Двухреакторный комплекс STE3526 разработан специально для выращивания гибридных наногетероструктур А³В⁵/А²В⁶ и других применений с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводников в данных системах материалов.

Областью применения установки МЛЭ STE3526 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и серийное производство эпитаксиальных наноструктур.

Особенностью построения комплекса является обеспечение ультра чистого сверхвысоковакуумного транспорта подложки из А³В⁵-реактора в реактор для выращивания соединений А²В⁶ для предотвращения неконтролируемых загрязнений ростового интерфейса на поверхности.

Ростовые реакторы, построенные на платформе STE35, оснащены вентильными источниками материалов V и VI группы и всей необходимой in-situ аналитикой.

• концепция «lab-to-fab», позволяющая перекрывать диапазон от фундаментальных исследований до серийного производства гетероструктур
• специализированные молекулярные источники Al (cold lip) для устойчивой работы и Ga (hot lip) для получения структур с малой плотностью овальных дефектов
• необходимый набор in-situ мониторинга процесса роста в базовой конфигурации
• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагрева ростового манипулятора
• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой
• удобство работы и регламентного обслуживания

Предельный остаточный вакуум в камере роста после прогрева, мм.рт.ст.

<5×10^-11

Максимальный рабочий диаметр подложки, мм

100 или 3х2”

Неоднородность по толщине и составу слоев для пластины диаметром 100мм, %

±1

Расстояние «источник-подложка», мм

135÷210

Конструкция приводов заслонок источников

Поворотный механизм на основе магнитного ввода вращения с безударным приводом

Материал лопастей заслонок

Тантал, молибден или PBN (Опция)

Конструкция нагревательного элемента ростового манипулятора

PBN/PG/PBN

Максимальная рабочая температура ростового манипулятора, не менее, ^°С

900

(1200 для NH₃-MBE)

Температура обезгаживания подложки в камереподготовки, не менее, ^°С

650

(1100 для нитридов III группы)

Температура прогрева камеры роста, не менее, ^°С

200

Производительность ионных насосов, не менее, л/с:

– ростовой камеры (ТМН для III-нитридов)

– подготовительной камеры

– шлюзовой камеры

800 (2000)

500

300