language

STE3526 Двухреакторная система молекулярно-лучевой эпитаксии для роста гибридных наногетероструктур A3B5/А2В6

Двухреакторный комплекс STE3526 разработан специально для выращивания гибридных наногетероструктур А3В52В6 с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводников в данных системах материалов.

Областью применения установки МЛЭ STE3526 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоев GaAs.

Особенностью построения комплекса является обеспечение ультрачистого сверхвысоковакуумного транспорта подложки из А3В5-реактора в реактор для выращивания соединений А2В6 для предотвращения неконтролируемых загрязнений ростового интерфейса на поверхности буферного слоя GaAs.

• идеология “lab to fab”, позволяющая перекрывать диапазон от фундаментальных исследований до пилотного производства гетероструктур
• специализированные молекулярные источники Al (cold lip) для устойчивой работы и Ga (hot lip) для получения структур с малой плотностью овальных дефектов
• вентильные источники материалов V и VI группы
• оснащенность всей необходимой in-situ диагностической аппаратурой в базовой конфигурации
• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагрева ростового манипулятора
• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой
• удобство работы и регламентного обслуживания

Предельный остаточный вакуум в камере роста

после прогрева

<5·10-11 Торр

Максимальный рабочий диаметр подложки

100 мм или 3х2”

Расстояние «источник-подложка»

135÷210 мм

Конструкция приводов заслонок источников

поворотный механизм на основе

магнитного ввода вращения с безударным

пневмоприводом

Материал лопастей заслонок

тантал (стандартно); молибден, PBN — опция

Конструкция нагревательного элемента ростового

манипулятора

PBN/PG/PBN

Максимальная рабочая температура ростового

манипулятора, не менее

900°С

Температура обезгаживания подложки

в камере подготовки, не менее

650°С

Температура прогрева камеры роста, не менее

200°С

Производительность ионных насосов:

– ростовой камеры

– подготовительной камеры

– шлюзовой камеры

800 л/с

500 л/с

300 л/с