language

STE RIE200 Установка реактивного ионного травления

Установка STE RIE200 сконфигурирована на базе платформы STE ICP200 и применима для процессов травления с использованием как хлорной, так и фторной химии. 

В установке реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. 

 

 

 

кнопка

  • 7×Ø2"
  • 4×Ø3"
  • 1×Ø100мм
  • 1×Ø150мм
  • 1×Ø200мм

КАМЕРА-РЕАКТОР


  • Предельное остаточное давление в реакторе <5∙10-6мм рт.ст.
  • Диск-душ с возможностью подачи ВЧ потенциала
  • Мощность ВЧ генератора до 500 (1000*) Вт
  • Температура пластин регулируется температурой теплоносителя в RIE электроде от -30°C до +80°C (+180°C*)
  • Нагрев стенок реактора


ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА

 

  • 6 (12*) газовых линий в коррозионно-стойком исполнении, в т.ч. с байпасами
  • Отсечной вакуумный клапан

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

 

  • Система откачки, сконфигурированная с учетом примменения установки (турбомолекулярный, форвакуумный спиральный насосы)

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

 

  • Автоматизация технологического процесса с периодической попеременной подачей газов
  • Автоматизированная очистка камеры
  • Программирование и сохранение технологических рецептов

 

*опция

  • ±2% неоднородность травления и осаждения на пластинах Ø100мм
  • Оптимизированная система газораспределения
  • Автоматизированная закрузка пластин
  • Проведение технологического процесса по рецепту
  • Инсталляция "через стену" чистого помещения
  • Возможность кассетной загрузки

__________________________________

*опция