language

STE PECVD200 Установка плазмохимического осаждения диэлектриков в классическом PECVD режиме

Установка STE PECVD200 сконфигурирована на базе платформы STE ICP200 и предназначена для интенсивных исследований и разработок (R&D).

В STE PECVD200 реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического осаждения диэлектриков (SiNx, SiO2 и т.д.) в плазме емкостного разряда.

 

 

 

кнопка

  • 7×Ø2"
  • 4×Ø3"
  • 1×Ø100мм
  • 1×Ø150мм
  • 1×Ø200мм

КАМЕРА-РЕАКТОР


  • Предельное остаточное давление в реакторе <5∙10-6мм рт.ст.
  • Плоский источник индуктивно-связанной плазмы
  • Возможность подачи ВЧ или НЧ смещения
  • Мощность ВЧ или НЧ генератора емкостного электрода до 1000 (2000*) Вт
  • Мощность генератора ICP верхнего электрода (13,56 МГц) до 1000 (3000*) Вт
  • Нагрев стола до 450°C
  • Нагрев стенок реактора


ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА

 

  • 6 (12*) газовых линий в коррозионно-стойком исполнении, в т.ч. с байпасами
  • Отсечной вакуумный клапан

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

 

  • Система откачки, сконфигурированная с учетом примменения установки (турбомолекулярный, форвакуумный спиральный насосы)

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

 

  • Автоматизация технологического процесса с периодической попеременной подачей газов
  • Автоматизированная очистка камеры
  • Программирование и сохранение технологических рецептов

 

*опция

  • ±2% неоднородность травления и осаждения на пластинах Ø100мм
  • Оптимизированная система газораспределения
  • Автоматизированная закрузка пластин
  • Проведение технологического процесса по рецепту
  • Инсталляция "через стену" чистого помещения
  • Возможность кассетной загрузки*

__________________________________

*опция