Установки плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда STE ICP200E

Главная Каталог продукции Оборудование планарных технологий Установки плазмохимического травления и осаждения

STE ICP200E Установки плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда

Автоматизированные система для проведения процессов плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда

В установках реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Установкисерии STE ICP применимы для процессов с использованием как хлорной, так и фторной химии. В установках реализованы два типа возбуждения плазмы: емкостная (охлаждаемый стол-электрод) и индуктивная (планарный спиральный ICP электрод).

Модернизированный реактор меньшего объема с оптимизированной системой газораспределения позволяет значительно улучшить однородность и воспроизводимость обработки пластин, а также сократить время предварительной откачки. Конструкция реактора оптимальна для проведения процессов с быстрой сменой процессных газов (Bosch-процесс). Удобство проведения регламентных работ повысилось за счет облегчения доступа ко всем внутренним узлам установки. Специальная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективное гелиевое охлаждение и контроль температуры пластин для процессов травления.

Установка позволяет в широком диапазоне параметров процесса комбинировать два режима плазмохимического травления: реактивное ионное травление и травление в индуктивно связанной плазме. ВЧ генераторы имеют автоматическое согласование, что обеспечивает получение устойчивых режимов горения плазмы в широком диапазоне используемых мощностей.

Конструкция установки позволяет создавать конфигурации под индивидуальные задачи заказчика.

Предельное остаточное давление в реакторе, мм.рт.ст.	<5×10^-6
Наличие шлюза	Да
Охлаждение стенок реактора	Да
Количество одновременно обрабатываемых пластин: диаметром 2’’ диаметром 3’’ диаметром 100 мм диаметром 150 мм диаметром 200 мм произвольной формы	7 4 1 1 1 Предусмотрено
Максимальная мощность ВЧ генератора (13,56 МГц) емкостного электрода, Вт	600 1200 (Опция)
Мощность ВЧ или НЧ генератора емкостного электрода, Вт	Не предусмотрено
Максимальная мощность генератора ICP верхнегоэлектрода (13,56 МГц), Вт	1200 2500 (Опция)
Максимально допустимое значение наведенногопотенциала на поверхность нижнего электрода, кВ	1
Охлаждение образцов пластин во время процесса (регулируется температурой теплоносителяв RIE-электроде)	От -30 °C (-70 °C –Опция) до +80 °C
Нагрев пластин во время процесса, °C, не менее	Не предусмотрено
Неоднородность травления (осаждения) для пластины ∅100мм, % от центра	±2
Количество газовых линий в коррозионно стойком исполнении, шт.	6
Лазерный интерферометр для определения скорости травления (осаждения)	Опция
Автоматизация загрузки пластин и проведение технологического процесса по рецепту	Да