Системы плазмохимического осаждения диэлектриков в плазме индуктивного разряда STE ICP200D

Главная Каталог продукции Оборудование планарных технологий Установки плазмохимического травления и осаждения

STE ICP200D Системы плазмохимического осаждения диэлектриков в плазме индуктивного разряда

Автоматизированная установка для проведения процессов плазмохимического осаждения диэлектриков (SiN_x, SiO₂ и т.д.) в плазме индуктивного разряда

Модернизированный реактор меньшего объема с оптимизированной системой газораспределения позволяет значительно улучшить однородность и воспроизводимость обработки пластин, а также сократить время предварительной откачки. Удобство проведения регламентных работ повысилось за счет облегчения доступа ко всем внутренним узлам установки. Специальная конструкция рабочего стола обеспечивает точный нагрев пластин с контролем температуры с помощью пирометра для PECVD процессов.

В качестве возбудителя плазмы используется плоский индуктивный источник с автоматическим согласованием. Пластины находятся на нагреваемом столе-электроде, к которому может быть подведен либо ВЧ (13,56 МГц), либо НЧ (300÷500 кГц) потенциал мощностью до 600 Вт. Использование низкочастотного потенциала в режиме индуктивного возбуждения пластиндает дополнительные возможности регулировки коэффициента натяжения пленок диэлектриков в ходе их осаждения.

Предельное остаточное давление в реакторе,мм.рт.ст.	<5×10^-6
Наличие шлюза	Да
Охлаждение стенок реактора	Да
Количество одновременно обрабатываемых пластин: диаметром 2’’ диаметром 3’’ диаметром 100 мм диаметром 150 мм диаметром 200 мм произвольной формы	7 4 1 1 1 Предусмотрено
Максимальная мощность ВЧ генератора (13,56 МГц) емкостного электрода, Вт	Не предусмотрено
Мощность ВЧ или НЧ генератора емкостного электрода, Вт	600
Максимальная мощность генератора ICP верхнего электрода (13,56 МГц), Вт	1200 2500 (Опция)
Максимально допустимое значение наведенного потенциала на поверхность нижнего электрода, кВ	1
Охлаждение образцов пластин во время процесса (регулируется температурой теплоносителя в RIE-электроде)	Не предусмотрено
Нагрев пластин во время процесса, °C, не менее	400
Неоднородность травления (осаждения) для пластины∅100мм, % от центра	±1
Количество газовых линий в коррозионностойком исполнении, шт.	6
Лазерный интерферометр для определения скорости травления (осаждения)	Опция
Автоматизация загрузки пластин и проведение технологического процесса по рецепту	Да