language

Установки плазмохимического травления и осаждения

Обновленная серия установок STE ICP пред­ставлена в двух основных модификациях: STE ICP200E (плазмохимическое травление) и STE ICP200D (плазмохимическое осаждение). 
Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произ­ вольной формы, что позволяет применять плат­ форму как для прикладных исследований и раз­ работок, так и для производственного выпуска продукции. Установки оснащены технологичной бесшовной алюминиевой камерой и новым шлюзовым устройством, позволяющим произво­ дить монтаж «через стену чистого помещения». Модернизированный реактор меньшего объема с продуманной системой подачи газов позволяет дополнительно оптимизировать однородность проведения процессов и снизить время откачки, что, в частности, оптимально для использования системы при проведении Bosch­процессов с быстрой сменой процессных газов. Проведение ре­ гламентных работ в реакторе стало значительно легче за счет удобного доступа ко всем внутренним узлам установки. Модернизированная конструкция рабочего стола обеспечивает эффективное гелиевое охлаждение для длительных процессов травления и прецизионный нагрев с термоста­ билизацией в исполнении для PECVD. Гибкие возможности для программирования технологи­ ческого процесса позволяют реализовывать все современные способы нанесения диэлектриков без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition”).