language

Автоматизированная система электронно-лучевого напыления STE EB71

Установка STE EB71 представляет собой полностью автоматизированную станцию электронно-лучевого напыления высококачественных тонкоплёночных композиций в сверхвысоком вакууме.
Система разрабатывалась в идеологии “lab to fab” и ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. В конструкцию также заложена возможность комплексирования и встраивания в состав роботизованных вакуумно-технологических кластерных систем. 
Максимальное количество напыляемых пластин в одном процессе 3х3” или 6х2”, которые устанавливаются на держателе со сферическим профилем, учитывающим особенности процесса “lift-off”.

• рабочая камера из нержавеющей стали с уплотнениями типа ConFlat, с интегрированным водяным охлаждением стенок, а также безмаслянной системой откачки на основе производительного ионного насоса 500 л/с
• водяной экран для предотвращения запыления камеры распыляемыми материалами, а также для облегчения сбора и утилизации продуктов распыления
• конструкция установки положительно зарекомендовала себя при апробации в циклах разработки и производства приборов СВЧ микроэлектроники
• неоднородность толщины наносимого материала менее ± 2% на диаметре держателя пластин (wafer holder) до 180 мм при использовании специально разработанной технологии «маски»
• возможность оптимизации расхода материла за счет изменения расстояния подложка-испаритель

Предельное остаточное давление в камере напыления, мм рт. ст.

<5*10-9 

Время готовности камеры напыления по вакууму для проведения процесса, после загрузки образца из шлюзовой камеры, не более, мин

15

Средства подготовки пластин:
Источник ионов, с энергией ионов 20-300еВ
Нагреватель подложки в камере подготовки/загрузки, °С


(О)
200 (О)

Прогрев образцов во время процесса

400°С (О)

Температура прогрева камеры напыления, °С

150°С

Контроль температуры пластин в ходе напыления

(О)

Водяное охлаждение стенок камеры напыления

(Б)

Количество одновременно обрабатываемых образцов:

диаметром 2’’

диаметром 3’’

диаметром 100 мм

диаметром 150 мм

произвольной формы

 

6

3

1

1

допускается

Мощность катодного блока электронно-лучевого испарителя, кВт

6

Ускоряющее напряжение, кВ

10

Максимальная емкость и количество ячеек испарителя 

6×7 см3 или 4×15 см3

Система экранов для сбора металлов 

(Б)

Визуальное наблюдение за расплавом мишени в тигле 

(Б)

Вращение держателей образцов в ходе процесса

(Б)

Расстояние испаритель-подложка, мм

300-500

Кварцевый толщиномер

(Б)

Точность измерения толщины напыляемого покрытия, нм

1

Квадрупольный масс-спектрометр

(О)

Управление системой откачки/напуска

Управление электронно-лучевым испарителем 

(Б)

(О)

• значение контактного сопротивления для гетероструктур GaAs/InGaAs/AlGaAs и GaN/AlGaN мощных полевых транзисторов составляет 0.1÷0.25 Ом·мм и
0.3-0.5 Ом·мм, соответственно (после отжига в установке STE RTA100)
• разработана технология получения прозрачного p-контакта к GaN на основе тонких пленок ITO
• скорость напыления Al не менее 60 Å/сек.
• скорость напыления W не менее 1 Å/сек.