Автоматизированная система электронно-лучевого напыления STE EB71

Главная Каталог продукции Оборудование планарных технологий Установки электронно-лучевого напыления

STE EB71 Автоматизированная система электронно-лучевого напыления

STE EB71 представляет собой установку электронно-лучевого напыления тонких пленок в сверхвысоком вакууме в ручном и автоматизированном режимах

Установка разрабатывалась в идеологии «lab-to-fab» и ориентирована как на интенсивные исследованияи разработки (R&D), так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии.

Максимальное количество напыляемых пластин в одном процессе 1×∅200 мм, 3×∅3” или 6×∅2”, которые устанавливаются на держателе со сферическим профилем, учитывающим особенности процесса «lift-off».

• рабочая камера из нержавеющей стали с уплотнениями типа ConFlat, интегрированным водяным охлаждением стенок, а также безмаслянной системой откачки на основе производительного ионного насоса 500 л/с
• конструкция установки хорошо зарекомендовала себя в циклах разработки и производства приборов СВЧ микроэлектроники
• неоднородность толщины наносимого материала – менее ±2,5% на диаметре держателя пластин до 200 мм при использовании специально разработанной технологии «маски»
• возможность оптимизации расхода материла за счет изменения расстояния между испарителем и подложкой в пределах 350÷500 мм (расход золота на рабочем расстоянии «испаритель-подложка» 350 мм составляет 3÷4 г/мкм)

Предельное остаточное давление в камере напыления, мм рт. ст.

<5×10^-9

Время достижения рабочего вакуума (<5×10^-8 мм рт. ст.) в камере напыления перед началом процесса, после загрузки держателя пластин из шлюзовой камеры, не более, мин

20

Источник ионов, с энергией ионов 20÷300 эВ

Опция

Нагрев пластин во время процесса

500

900 (Опция)

Температура прогрева камеры напыления, ^°С

150

Пирометрический контроль температуры пластин

Опция

Водяное охлаждение стенок камеры напыления

Да

Количество одновременно обрабатываемых пластин:

диаметром 2’’

диаметром 3’’

диаметром 100 мм

диаметром 150 мм

диаметром 200 мм

произвольной формы

6

3

1

1

1

Допускается

Мощность катодного блока электронно-лучевого испарителя, кВт

6

Ускоряющее напряжение, кВ

8

Максимальная емкость и количество ячеек испарителя

6×7 см³

или 4×15 см³

Термический испаритель в шлюзовой камере

Опция

Система экранов для сбора металлов

Да

Визуальное наблюдение за расплавом мишени в тигле

Да

Вращение держателя пластин в ходе процесса

Да

Расстояние «испаритель-подложка», мм

350÷500

Двухпозиционный охлаждаемый кварцевый толщиномер, установленныйв плоскости держателя пластин

Да

Точность измерения толщины напыляемого покрытия, нм

1

Квадрупольный масс-спектрометр

Опция

Автоматическое управление электронно-лучевым испарителем и напылениепо рецепту Да

Неоднородность толщины наносимого материала на диаметре держателя пластин до ∅200 мм при использовании специально разработанной технологии «маски», не более, % ±2,5

• получены значения контактного сопротивления для гетероструктур мощных полевых транзисторов наоснове GaAs/InGaAs/AlGaAs и GaN/AlGaN 0.1÷0.25 Ом×мм и 0.3÷0.5 Ом×мм, соответственно (после вжигания контактов в установке STE RTA100)
• разработана технология получения прозрачного контакта к p-GaN на основе тонких пленок ITO
• скорость напыления Al – не менее 60 Å/с
• скорость напыления W – не менее 1 Å/с

Распределение неоднородности толщины от радиуса держателя диаметром 180 мм (позволяет разместить 3 пластины диаметром 3”) для слоя Ti, полученного на установке STE EB71 (вращение, технология «маски»).