Установка для проведения процессов быстрой температурной обработки полупроводниковых пластин в инертной среде

Установка STE RTA100 ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии.

Максимальный диаметр обрабатываемой пластины составляет 100 мм. Пластина загружается в камеру вручную через верхний фланец быстрого доступа и устанавливается на тепло выравнивающий столик из графита, под которым находится нагреватель на основе системы линейных галогеновых ламп.

Конструкция установки позволяет обеспечить высокую однородность нагрева полупроводниковой пластины, имеющей неоднородное поглощение инфракрасного облученияпо поверхности (например, со сформированной металлической топологией).

STE RTA100 специально разработана для проведения сравнительно кратковременных процессов (до 10 минут) с максимальной температурой до 1000^°С и максимальной скоростью достижения заданной температуры до 40^°С/с. Для приложений, не связанных с вжиганием омических контактов, возможно использование установки без графитового стола, что позволяет увеличить динамику нагрева до 200^°С/с. Камера из алюминия герметична и имеет интегрированное водяное охлаждение стенок. Для наблюдения за процессом отжига в ней предусмотрено кварцевое смотровое окно диаметром 100 мм (используется также для установки ИК-пирометра). Установка обеспечивает высокую воспроизводимость от процесса к процессу и хорошо себя зарекомендовала при использовании в составе производственных линий по выпуску электронной компонентной базы на основе материалов А³В⁵.