language

Установка быстрой температурной обработки STE RTA100

Установка для проведения процессов быстрой температурной обработки полупроводниковых пластин в инертной среде

Установка STE RTA100 ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. Максимальный диаметр обрабатываемой пластины составляет 100 мм. Образец загружается в камеру вручную через боковой фланец быстрого доступа и устанавливается на тепловыравнивающий столик из пиролитического графита, под которым находится нагреватель на основе системы линейных галогеновых ламп. Конструкция установки позволяет обеспечить высокую однородность нагрева полупроводниковой пластины, имеющей неоднородное поглощение инфракрасного облучения по поверхности (например, со сформированной топологией).

Конструкция установки позволяет проводить сравнительно кратковременные процессы с температурой до 900°С и максимальной скоростью достижения заданной температуры до
40°С/сек. Продолжительность процесса отжига при максимальной температуре составляет до 10 минут. Камера из нержавеющей стали герметична и имеет интегрированное водяное
охлаждение стенок. Для наблюдения за процессом отжига в ней предусмотрено кварцевое смотровое окно (используется также для установки ИК-пирометра). Установка обеспечивает
высокую воспроизводимость от процесса к процессу и хорошо себя зарекомендовала при использовании в составе производственных линий по выпуску электронной компонентной базы.

• непрерывная продувка камеры инертным газом в ходе отжига образца
• режим автоматического поддержания заданного уровня давления внутри камеры в ходе процесса

• предварительная откачка рабочей камеры с помощью мембранного или спирального (опция) насоса
• управление мощностью нагрева с помощью тиристорного регулятора
• автоматизация процесса откачки и газовой продувки камеры, позволяющая проведение процесса «по нажатию одной кнопки»
• возможность программирования «многостадийного» процесса отжига с помощью встроенного ПИД-контроллера
• контроль температуры рабочего столика с помощью двух термопар
• возможность установки оптического пирометра для дополнительного контроля температуры поверхности отжигаемой пластины (опция) с возможностью X-Y сканирования температуры
поверхности через кварцевое окно
• высокая воспроизводимость от процесса к процессу
• простота эксплуатации и обслуживания

Предельное остаточное давление в камере (реакторе), Торр

<10

Скорость откачки вакуумного насоса, м3/час

5

Водяное охлаждение стенок реактора

(Б)

Максимальный диаметр обрабатываемой пластины, мм

100

Максимальная скорость нагрева, оС/сек

40

Максимальная температура нагрева, оС

900

Однородность нагрева для пластины диаметром 100 мм, %

±4

Возможность проведения процесса отжига в вакууме

х

Термическая обработка в кислородной среде

х

Оптический пирометр

(О)

Полная автоматизация процесса отжига

(Б)