Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.

 

Глубокое травление SiC

 

  • Рабочая среда: SF₆/Ar/O₂
  • Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
  • Применяемая маска: Cr, Ni
  • Скорость травления SiC: 1 мкм/мин 
  • Селективноть по маске: 50:1

 

 

 

 

 

 

 

Травление многослойных структур InGaAs/ AlGaAs

 

 

Анизотропное травление кремния (Bosch-процесс, low scallop)

   

 

Травление GaAs/AlGaAs структур

 

Плазмохимическое травление InAs

 

Плазмохимическое травление InP

 

Глубокое травление GaAs

 

Плазмохимическое травление Si₃N₄

 

Интерферометрический контроль скорости и глубины/ толщины плазмохимических процессов травления и осаждения