Глубокое плазмохимическое травление кварца

- Рабочая среда: SF6/О2; CF4/О2; C4F8/О2
- Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
- Применяемая маска: Cr, Ni, Cu.
- Селективность по маске: 50:1
- Скорость травления: 0,65мкм/мин
Глубокое плазмохимическое травление карбида кремния
- Рабочая среда: SF6/Ar/O2
- Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
- Применяемая маска: Cr, Ni
- Скорость травления SiC: 1 мкм/мин
- Селективноть по маске: 50:1
Технология вертикальных лазеров (VECSEL) на основе слоистой структуры GaAs/AlGaAs
- Рабочая среда: BCl3/Ar
- Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
- Применяемая маска: фоторезист
- Селективноть по маске: 15:1
- Скорость травления: 1 мкм/мин
Технология разработана на оборудовании SemiTEq в лаборатории Квантоворазмерных структур ФТИ им. Иоффе под руководством М.Ю. Задиранова, к.ф.-м.н. (Группа Пост-ростовой обработки)
Интерферометрический контроль процесса травления
Устанавливаемый на STE ICP68L лазерный интерферометр позволяет отследить динамику процесса травления и определить время окончания процесса



Низкотемпературное плазмохимическое осаждение Si3N4


- Рабочие газы: SiH4/Ar/N2
- Виды плазмы, применяемой в процессе: ICP + емкостная плазма
- Температура процесса: 70ºC
- Скорость роста: 15нм/мин
- Безаммиачная технология