SemiTEq - МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям

Главная Прикладная лаборатория


STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления Технология субмикронного затвора на GaN-DHFET STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение МВЕ STE3526: Рост лазерных гетероструктур МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям MBE STE3N: Особенности роста нитридов III группы Гетероструктуры на основе GaAs	МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям Группа МЛЭ ФТИ им. Иоффе [1] под руководством профессора С.В.Иванова с 2009 года эксплуатирует двухреакторный комплекс SemiTEq STE3526. Ниже представлены результаты Группы в области гибридных гетероструктур с гетеровалентным интерфейсом A³B⁵/A²B⁶ Выращивание методом МПЭ когерентных гетеровалентных квантовых ям AlSb/InAs/(Zn,Mn)Te с магнитным двумерным электронным газом. Экспериментальное наблюдение гигантского эффекта Зеемана для 2D электронов в InAs КЯ посредством исследования фототока спин-поляризованных носителей Ya.V. Terent’ev et al., APL 99, 072111 (2011) AlGaAs/GaAs/ZnSe/(Zn)Mn(S)Se двойные квантовые ямы для спин-инжекции. Формирование методом МПЭ нейтрального и термодинамически равновесного гетеровалентного интерфейса GaAs/ZnSe. Инициация роста ZnSe на поверхности GaAs (2x4)As, декорированной фоновым потоком Se - (2x1)As&Se картина ДБЭ. I.V. Sedova et al., Int. Conf. MBE 2012, Nara, Japan, (2012) Методом магнетофотолюминесценции продемонстрирована 60% туннельная спиновая инжекция из ZnMnSe в двойные КЯ GaAs. F. Liaci et al., phys. stat. sol. (c) 9, 1790 (2012) [1]Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) является одним из крупнейших научных центров России в области исследований современной физики и технологии полупроводников.