Главная
О компании
Наша история
Миссия и видение
Наши ценности
Наши преимущества
Наши награды
Патенты и сертификаты
Новости
Приглашаем вас посетить наш стенд на выставке ExpoElectronica
АО «НТО» приняло участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2022»
ЗАО «НТО» – лауреат Премии ELECTRONICA в категории «Базовые технологии и средства производства электроники»
Выставка ExpoElectronica 2022. Открыто онлайн голосование
Форум «Микроэлектроника 2021»
Выставки ЭкспоЭлектроника и ЭлектронТехЭкспо 2021
Международный форум "Микроэлектроника 2020"
V Международный Форум «Микроэлектроника 2019»
IV Международный семинар по ультрафиолетовым материалам и приборам (IWUMD-IV)
Выставка VacuumTechExpo 2019
XXIII Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
Конференция EuroMBE 2019
Выставка VacuumTechExpo 2018
IV Форум регионов России и Беларуси
Выставка Вакуумтехэкспо 2017
Конференция EUROMBE 2017
XXI Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
Конференция III-N 2017
Выставка "ВакуумТехЭкспо"
XX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Поздравляем с наступающим Новым годом и Рождеством!
ЗАО «НТО» выпустила модернизированную версию установки электронно-лучевого напыления STE EB71
Усовершенствованная система молекулярно-лучевой эпитаксии SemiTEq STE35
Премия "Лучший инновационный продукт в сфере высоких технологий»
Выставка "ВакуумТехЭкспо"
Выставка "Новая Электроника-2015"
Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии (EUROMBE 2015)
Конференция CS International 2015
Семинар в Дели, Индия
XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Заказ на поставку установки Молекулярно-лучевой эпитаксии в Университет г. Торонто (Канада)
Новые ICP-RIE, ICP-PECVD и PVD системы SemiTEq для микроэлектроники
Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Публикация в Compound Semiconductors
Визит Госсекретаря Союзного государства России и Белоруссии
Semicon Russia 2013
EURO MBE 2013
Открытые инновации 2012
MBE2012
XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Каталог продукции
Установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Оборудование планарных технологий
Узлы и комплектующие
Комплексные решения
Прикладная лаборатория
STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления
Технология субмикронного затвора на GaN-DHFET
STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение
МВЕ STE3526: Рост лазерных гетероструктур
МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям
MBE STE3N: Особенности роста нитридов III группы
Гетероструктуры на основе GaAs
Услуги и сервис
Наши партнеры
Южный Федеральный Университет
Университет Торонто (Канада)
ФТИ им. Иоффе РАН
ЗАО "Светлана-Рост"
Контакты
Главная
Новости
Установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Оборудование планарных технологий
Узлы и комплектующие
Комплексные решения
Новости
26.12.2015
Поздравляем с наступающим Новым годом и Рождеством!
Назад
Вперёд