АО "НТО" и ЗАО "Светлана-Рост" связывает многолетнее партнерство. Не секрет, что эта компания является постоянным Заказчиком нашего оборудования и получает на нем поистине выдающиеся результаты.

Результаты MBE STE3N2

В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3N2 были выращены многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных СВЧ-транзисторов. Однородность слоевого сопротивления по пластине диаметром 3 дюйма составляет +/- 1%.

На основе гетероструктур, выращенных на подложках карбида кремния в ЗАО «Светлана-Рост» были реализованы широкополосные усилители, работающие в диапазоне 30 МГц-4,0 ГГц с коэффициентом усиления (Gain) 17-25 дБ, выходной мощностью 2,5 Вт и КПД 30%.

Кроме того, были получены усилители мощности C-диапазона с выходной мощностью 10 Вт. Транзисторы продемонстрировали долговременную стабильность параметров в течение более 3500 часов при температуре 85 ⁰ С.

 

Результаты MBE STE3235

В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены многослойные гетероструктуры в системе AlGaAs для ИК фотоприемников в диапазоне 8-10 мкм (в англоязычной литературе Quantum Well Infrared Photodetector — QWIP). Благодаря высокой однородности свойств QWIP гетероструктур ИК ФП матрицы на их основе продемонстрировали тепловое изображение без дополнительной обработки сигнала при температуре 70 К.