language

STE75 Универсальная компактная система молекулярно-лучевой эпитаксии

Универсальная компактная трехкамерная установка разработана для выращивания широкого спектра полупроводниковых соединений А3В5 и широкозонных соединений А2В6, а также в специальном исполнении — А3N, выполнена с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников в данных системах материалов.

Областью применения установки является широкий спектр НИР и НИОКР по приборной тематике, основанной на материалах А3В52В6 и A3N.

         

 

• ростовая камера, обеспечивающая вертикальную ростовую геометрию
• 10 портов 63CF с водяным охлаждением для установки источников материалов, с заслонками + 3 шт. 40CF и 1 шт. 63CF (без заслонок) — всего 14 портов
• компактная единая азотная криопанель, эффективно окружающая ростовой объём
• ростовой манипулятор с нагревательным элементом PBN/PG/PBN
• комплект источников материалов — эффузионных ячеек в количестве 8 шт. + вентильный источник V-й (или VI-й) группы либо плазменный источник азота
• универсальная система откачки, сконфигурированная исходя из применения установки
• достаточный набор аналитики: RHEED, пирометр, датчик индикации потока Байярд-Альперта и интерферометр (при необходимости)
• камера подготовки с накопителем держателей подложки и узлом нагрева, с независимой системой откачки на основе ионного насоса
• шлюзовая камера с фланцем быстрой загрузки и системой откачки на основе ТМН
• комплект держателей подложки
• система измерения предварительного и сверхвысокого вакуума
• система прогрева камер до 200°С, без образования «горячих точек»
• комплект управляющей электроники
• система автоматизированного управления процессом эпитаксиального роста

• возможность встраивания в сверхвысоковакуумный кластер либо совмещения с вакуумно-аналитическими системами
• оснащенность всей необходимой in-situ диагностической аппаратурой в базовой конфигурации
• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагрева ростового манипулятора, незначительная разница между показаниями указывающей термопары и реальной температурой поверхности подложки
• малая занимаемая площадь в чистой зоне
• низкий расход жидкого азота при циклической работе (менее 10-15 л/ч.!)
• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой
• удобство работы и регламентного обслуживания

Предельный уровень вакуума в камере роста

после прогрева

<5·10-11 Торр

Максимальный рабочий диаметр подложки

3” (76,2 мм)

Максимальная рабочая температура нагрева

подложки:

– для соединений А3В52В6

– для соединений А3N

 

 

не менее 900°С

не менее 1250°С

Максимальная температура узла нагрева

в камере подготовки для обезгаживания

подложек

650°С (1100°С в версии для нитридов

III группы)