Универсальная компактная система молекулярно-лучевой эпитаксии STE75

Главная Каталог продукции Установки молекулярно-лучевой эпитаксии

STE75 Универсальная компактная установка молекулярно-лучевой эпитаксии

Универсальная компактная трехкамерная установка разработана для выращивания широкого спектра полупроводниковых соединений А³В⁵, широкозонных соединений А²В⁶, а также, в специальном исполнении, А³N. Конструкция STE75 выполнена с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников в данных системах материалов.

Областью применения установки является широкий спектр НИР и НИОКР по приборной тематике, основанной на материалах А³В⁵/А²В⁶ и A³N.

• ростовая камера, обеспечивающая вертикальную ростовую геометрию
• 10 портов 63CF с водяным охлаждением для установки источников материалов с заслонками, а также 3 порта 40CF и 1 порт 63CF без заслонок – всего 14 портов
• легкий доступ к заслонкам эффузионных ячеек
• компактная единая азотная криопанель, эффективно окружающая ростовой объем
• ростовой манипулятор с нагревательным элементом PBN/PG/PBN
• комплект источников материалов, включая 5 эффузионных ячеек, вентильный источник V (VI) группы или плазменный источник азота
• система откачки, сконфигурированная исходя из применения установки
• достаточный набор in-situ аналитики: RHEED, пирометр, ионизационный датчик потока Байярда-Альперта и лазерный интерферометр (опция)
• камера подготовки с накопителем держателей (6 позиций) и узлом нагрева подложек, с независимой системой откачки на основе ионного насоса с сублимационной криопанелью
• шлюзовая камера с накопителем держателей подложки (3 позиции), фланцем быстрой загрузки и системой откачки на основе ТМН
• комплект держателей подложки
• система измерения предварительного и сверхвысокого вакуума
• система равномерного прогрева камер до 200^°С
• комплект управляющей электроники
• система автоматизированного управления процессом эпитаксиального роста

• возможность встраивания в сверхвысоковакуумный кластер либо совмещения с вакуумно-аналитическими системами
• оснащенность всей необходимой in-situ диагностической аппаратурой в базовой конфигурации
• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагрева ростового манипулятора
• компактный «footprint»
• низкий расход жидкого азота при циклической работе (менее 10-15 л/ч!)
• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой
• удобство работы и регламентного обслуживания

Предельный уровень вакуума в камере роста после прогрева, мм.рт.ст.	<5×10^-11
Максимальный рабочий диаметр подложки, мм	76,2 (3”)
Неоднородность по толщине и составу выращиваемых слоев для подложки диаметром 3”, %	±1
Конструкция нагревательного элемента ростового манипулятора	PBN/PG/PBN
Максимальная рабочая температура нагрева подложки, ^°С: – для соединений А³В⁵/А²В⁶, не менее – для соединений А³N, не менее	900 1200
Максимальная температура узла нагрева в камере подготовки для обезгаживания подложек, не менее, ^°С	650 (1100 в версии для нитридов III группы)
Температура прогрева камеры роста, не менее, ^°С	200