language

STE35 Современная технологическая платформа для выращивания гетероструктур на основе соединений A3B5| A2B6| A3N

Современная полуавтоматизированная технологическая платформа STE35 специально создана для проведения опытных разработок и выпуска гетероструктур. Установки на базе платформы STE35 обеспечивают прецизионное выращивание эпитаксиальных слоев на основе материалов A3B5, A2B6 или A3N на подложках до Ø150мм.

Платформа STE35 имеет гибкую конфигурацию и может комплектоваться различными ростовыми реакторами на 10 или 12 портов для установки молекулярных источников.

Оптимальная ростовая геометрия установок позволяет достичь высокой однородности толщины и состава выращиваемых эпитаксиальных слоев. 

МАКСИМАЛЬНАЯ ЗАГРУЗКА


  • 1×Ø100мм
  • 1×Ø150мм

КАМЕРА РОСТА


  • Предельный вакуум в ростовой камере  <5∙10-11мм.рт.ст
  • 10 или 12 портов для установки молекулярных источников материалов с заслонками
  • Расход жидкого азота при циклической работе менее 20-25л/ч*

ИСТОЧНИКИ


  • Вентильные источники As, Sb, P
  • Газовый инжектор CBr4 с возможностью нагрева
  • Молекулярные источники с однозонным нагревом тигля
  • Молекулярные источники Al, Ga, In и др. с двузонным нагревом тигля (конического или SUMO типа)
  • Молекулярные источники легирующих компонентов Si, Be, Mg

КАМЕРА ЗАГРУЗКИ


  • Ручная/полуавтоматическая загрузка
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Накопитель держателей подложки на 8 позиций
  • Система предварительного отжига держателей
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки

РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР


  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения
  • Нагрев подложки до 1200oC
  • Возможность изменения ростовой геометрии
  • Вращение держателя подложки со скоростью до 1 об/с

КАМЕРА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ

 

ПОДГОТОВКИ


  • Промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения
  • Нагрев подложки до 650oC
  • Водяное охлаждение

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

 

 


  • Основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов
  • Дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор
  • Система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (сверхвысоковакуумный криогенный, ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы)
  • Датчик Байярда-Альперта
  • Датчик Пирани

СРЕДСТВА АНАЛИТИКИ


  • Система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения
  • Анализатор остаточной атмосферы
  • Инфракрасный оптический пирометр
  • Лазерный интерферометр

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ


  • Специализированное ПО
  • Контроль параметров процесса в реальном времени
  • Дистанционное управление перемещениями манипулятора
  • Визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков

*при использовании фазового сепаратора в зависимости от количества работающих эффузионных источников, температуры подложки, а также режима работы и др. факторов

• 10/12 портов для установки молекулярных источников
• Высокая степень кастомизации платформы
• Возможность изменения ростовой геометрии
• Конструкция заслонок источников оптимизирована для надежной и быстрой работы при выращивании многослойных гетероструктур