language

STE3N Современная технологическая платформа для выращивания гетероструктур на основе соединений A3N

Установки STE3N предназначены для проведения опытных разработок и выпуска гетероструктур, обеспечивают широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров, в т.ч. эффективный поток азота, температуру подложки, рабочий вакуум и др.

Запатентованная конструкция ключевых узлов позволяет достигать предельно высоких температур на подложке (>1200oC) и выращивать толстые высококачественные буферные слои AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота.

Опциональная комплектация плазменным источником азота в комбинации с инжектором аммиака позволяет выращивать активные слои InGaN, InAlN и AlGaN:Mg.

Платформа STE3N обеспечивает получение активных слоев полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дисклокаций.

МАКСИМАЛЬНАЯ ЗАГРУЗКА

 

  • 1×Ø100мм
  • 1×Ø150мм

 

 

 

КАМЕРА РОСТА

 

  • Предельный вакуум в ростовой камере
     
    <5∙10-11мм.рт.ст
  • 7, 8 или 10 портов для установки молекулярных источников материалов с заслонками
  • Расход жидкого азота при циклической работе менее 25-35л/ч*

ИСТОЧНИКИ

 

  • Плазменный источник N2
  • Газовый инжектор NH3 с возможностью нагрева
  • Молекулярные источники с однозонным нагревом тигля
  • Молекулярные источники Al, Ga, In специальной конструкции, предотвращающей «creeping» - эффект
  • Молекулярные источники легирующих компонентов Si, Mg

КАМЕРА ЗАГРУЗКИ

 

  • Ручная/полуавтоматическая загрузка
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Накопитель держателей подложки на 8 позиций
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки

 

РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР

 

  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения
  • Нагрев подложки до 1200oC
  • Возможность изменения ростовой геометрии
  • Вращение держателя подложки со скоростью до 1 об/с

 

КАМЕРА ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ

 

 ПОДГОТОВКИ**

 

  • Промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева и охлаждения
  • Нагрев подложки до 1100oC
  • Водяное охлаждение

 

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

 

 

 

  • Основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов
  • Дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор
  • Система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы)
  • Датчик Байярда-Альперта
  • Датчик Пирани

 

СРЕДСТВА АНАЛИТИКИ

 

  • Система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения
  • Анализатор остаточной атмосферы
  • Инфракрасный оптический пирометр
  • Лазерный интерферометр

 

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

 

  • Специализированное ПО
  • Контроль параметров процесса в реальном времени
  • Дистанционное управление перемещениями манипулятора
  • Визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков

 

* при использовании фазового сепаратора в зависимости от количества работающих эффузионных источников, температуры подложки, а также режима работы и др. факторов

** опция

• 7/8/10 портов для источников материалов
• Двух- или трехкамерное исполнение
• Возможность изменения ростовой геометрии
• Возможность работы в режимах NH3-MBE и PA-MBE
• Получение методом МЛЭ слоев GaN, сравнимых по качеству с результатами МОГФЭ*, на рассогласованных подложках
• Запатентованный молекулярный источник Al с повышенным ресурсом работы
• Высокая однородность нагрева любых типов подложек благодаря запатентованным конструкциям держателя подложки и узла нагрева ростового манипулятора

____________________________________________

*МОГФЭ - осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы или МОС-гидридная эпитаксия