STE RIE200 установка реактивного ионного травления

Главная Каталог продукции Установки для плазмохимической обработки пластин

STE RIE200 Установка реактивного ионного травления

Установка STE RIE200 сконфигурирована на базе платформы STE ICP200 и применима для процессов травления с использованием как хлорной, так и фторной химии.

В установке реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев.

7×Ø2"
4×Ø3"
1×Ø100мм
1×Ø150мм
1×Ø200мм

КАМЕРА-РЕАКТОР

Предельное остаточное давление в реакторе <5∙10^-6мм рт.ст.

Диск-душ с возможностью подачи ВЧ потенциала

Мощность ВЧ генератора до 500 (1000*) Вт

Температура пластин регулируется температурой теплоносителя в RIE электроде от -30°C до +80°C (+180°C*)

Нагрев стенок реактора

ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА

6 (12*) газовых линий в коррозионно-стойком исполнении, в т.ч. с байпасами

Отсечной вакуумный клапан

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

Система откачки, сконфигурированная с учетом примменения установки (турбомолекулярный, форвакуумный спиральный насосы)

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Автоматизация технологического процесса с периодической попеременной подачей газов

Автоматизированная очистка камеры

Программирование и сохранение технологических рецептов

*опция

±2% неоднородность травления и осаждения на пластинах Ø100мм
Оптимизированная система газораспределения
Автоматизированная закрузка пластин
Проведение технологического процесса по рецепту
Инсталляция "через стену" чистого помещения
Возможность кассетной загрузки

__________________________________

*опция