language

Установки плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда STE ICP200E

Автоматизированные система для проведения процессов плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разряда

В серии установок STE ICP полностью реализованы все современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Они одинаково применимы и для хлорной, и для фторной химии. В установках реализованы два типа возбуждения плазмы: емкостная (плоский водоохлаждаемый электрод) и индуктивная (плоский ICP-источник). 

Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произ­вольной формы, что позволяет применять платформу как для прикладных исследований и раз­работок, так и для производственного выпуска продукции. Установки оснащены технологичной бесшовной алюминиевой камерой и новым шлюзовым устройством, позволяющим произво­дить монтаж «через стену чистого помещения». 

Главной отличительной особенностью систем является возможность комбинировать два режима плазмохимического травления: реактивное ионное травление и травление в индуктивно
связанной плазме. Генераторы имеют автоматическое согласование между собой, что обеспечивает получение устойчивых режимов горения плазмы в широком диапазоне используемых
мощностей.

Температурный диапазон для травления: -70°C (хладагент), +80°C (горячая вода).

Конструкция установки обеспечивает возможность замены верхнего ICP электрода металлическим диском с отверстиями для подачи газа, что позволяет переконфигурировать установку травления в ICP и RIE плазме в упрощенный вариант установки травления в плазме только емкостного разряда и наоборот дооснастить упрощенный вариант ICP электродом.

 

Предельное остаточное давление в реакторе травления, мм.рт.ст.

<5·10-6

Наличие шлюза

(Б)

Охлаждение стенок реактора

(Б)

Количество одновременно обрабатываемых пластин:

диаметром 2’’
диаметром 3’’
диаметром 100 мм
диаметром 150 мм
диаметром 200 мм
произвольной формы

 

7
4
1
1
1
(Б)

Максимальная мощность ВЧ генератора (13,56 МГц), Вт

600 (Б)
1200 (О)

Максимальная мощность ICP генератора (13,56 МГц), Вт

1200 (Б)
2500 (О)

Максимально допустимое значение наведенного потенциала на поверхности для электрода, кВ

1

Охлаждение образцов во время процесса

вода + He (Б)
ж. азот + He (О)

Нагрев образцов во время процесса

х

Количество газовых линий в коррозионностойком исполнении, шт.

4(Б)

Однородность осаждения (травления) для пластины ∅100 мм, % от центра

±2

Интерферометр для определения скорости травления

(О)

Автоматизация вакуумной системы
Автоматизированная передача образцов на электрод
Автоматизация технологического процесса

(Б)
(О)
(Б)

  •