language

Системы плазмохимического осаждения диэлектриков в плазме индуктивного разряда STE ICP200D

Автоматизированные станции для проведения процессов плазмохимического осаждения диэлектриков (SiNx, SiO2) в плазме индуктивного разряда

Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет применять плат­форму как для прикладных исследований и разработок, так и для производственного выпуска продукции. Установки оснащены технологичной бесшовной алюминиевой камерой и новым шлюзовым устройством, позволяющим производить монтаж «через стену чистого помещения». Гибкие возможности для программирования технологи­ ческого процесса позволяют реализовывать все современные способы нанесения диэлектриков без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition”). 

В качестве возбудителя плазмы используется плоский индуктивный источник с автоматическим согласованием. Образцы находятся на нагреваемом столике, к которому может быть подведен переменный потенциал, фиксированная частота которого может быть выбрана (на этапе заказа) из диапазона 100÷2000 кГц.
Использование низкочастотного потенциала на нагревательном столике в режиме индуктивного возбуждения пластин дает возможность регулировать коэффициент натяжения пленок
диэлектриков во время их осаждения.

Предельное остаточное давление в реакторе травления,

мм.рт.ст.

<5·10-6

Наличие шлюза

(Б)

Охлаждение стенок реактора

(Б)

Количество одновременно обрабатываемых пластин:

диаметром 2’’

диаметром 3’’

диаметром 100 мм

диаметром 150 мм

диаметром 200 мм

произвольной формы

 

7

4

1

1

1

(Б)

Максимальная мощность НЧ генератора (0,1-2 МГц), Вт

600

Максимальная мощность ICP генератора (13,56 МГц), Вт

1200 (Б)

2500 (О)

Максимально допустимое значение наведенного

потенциала на поверхности для электрода, кВ

1

Охлаждение образцов во время процесса

x

Нагрев образцов во время процесса

400 °С

Однородность осаждения для пластины ∅100 мм,

% от центра

±2

Количество газовых линий в коррозионностойком

исполнении, шт.

4(Б)

Интерферометр для определения скорости травления

(О)

Автоматизация вакуумной системы

Автоматизированная передача образцов на электрод

Автоматизация технологического процесса

(Б)

(О)

(Б)