Область интересов
Закрытое Акционерное Общество «Научное и технологическое оборудование» специализируется на разработке и производстве высокотехнологичного сверхвысоковакуумного оборудования для научных исследований, опытно-конструкторских разработок и мелкосерийного производства в области нанотехнологий и наноэлектроники, полупроводниковой микро и оптоэлектроники.
В разработке оборудования компания опирается на собственный опыт проведения НИОКР в области полупроводниковых технологий, позволяющий оптимизировать выработку технических требований к разрабатываемому технологическому оборудованию.
Центральными продуктами компании являются установки молекулярно — пучковой эпитаксии (МПЭ) для различных систем полупроводниковых материалов и планарное технологическое оборудование.
Зарегистрированная торговая марка компании — SemiTEq.
Миссия
Своим основным предназначением компания видит возрождение отечественного технологического приборостроения полупроводниковой промышленности и заботу о том, чтобы наши партнеры получали современное надежное оборудование и могли совершить быстрый start — up.
- Для исполнения своей миссии в компании принята следующая политика разработок:
- Технология является источником разработки оборудования
- Конструкцию разработанного оборудования оценивает действующий технолог
-
Реализация принятой политики заключается в том, что:
- Мы идем к разработке оборудования от особенностей технологий в выбранной системе полупроводниковых материалов;
- Мы сами эксплуатируем головные образцы оборудования;
- Мы включаем в технологическую программу специальные эксперименты для проверки принятых конструкторских решений;
- Мы снабжаем наше оборудование активным технологическим Know-How.
-
В результате:
- Все конструкторские решения проверены и обоснованы технологической практикой;
- Вместе с установкой поставляются технологические процессы, выводящие пользователя на современный уровень разработок за короткое время.
Тем самым мы обеспечиваем нашим партнерам принципиальное сокращение времени получения конкурентоспособного технологического результата.
История
ЗАО «НТО» образовано в 2001 г. Разработки установок МПЭ начались с глубокой модернизации установок ЭП1203, выпускавшихся ЭЗНП АН СССР до 1992 г. Техническое задание на модернизацию было разработано в ходе многолетних разработок технологии выращивания гетероструктур в системе GaAs/AlGaAs для оптоэлектроники.
Всего компанией были модернизированы 5 установок из 13 выпущенных серийно ЭЗНП АН СССР. Одна из них в 2003 г. была поставлена в Центр Нанотехнологий университета г. Торонто, Канада, и продолжает успешно эксплуатироваться.
Основные достиженияВ 2002 — 2003 годах при выполнении коммерческого контракта была разработана установка молекулярно-пучковой эпитаксии ЭПН3, предназначенная для выращивания нитридов металлов третьей группы.
В ходе разработки установки были одновременно учтены все особенности технологии выращивания соединений AlGaN/GaN и отражены все современные тенденции развития данного класса оборудования для МПЭ. Успешный опыт эксплуатации головного образца установки, а также полученные при его помощи результаты мирового уровня по выращиванию нитридных гетероструктур для СВЧ-микроэлектроники, дали основание считать установку ЭПН прототипом для целого семейства разрабатываемых и выпускаемых установок МПЭ.
В 2006 году была завершена разработка следующего семейства установок МПЭ — серии STE.
Успешное завершение испытаний головной установки
STE3N3, предназначенной для выращивания нитридов
III группы, положило началу серийному выпуску установок этой серии.