Новости от потребителей
В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3N2 были выращены многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных СВЧ-транзисторов. Однородность слоевого сопротивления по пластине диаметром 3 дюйма составляет +/- 1%.
На основе гетероструктур, выращенных на подложках карбида кремния в ЗАО «Светлана-Рост» были реализованы широкополосные усилители, работающие в диапазоне 30 МГц-4,0 ГГц с коэффициентом усиления (Gain) 17-25 дБ, выходной мощностью 2,5 Вт и КПД 30%.
Кроме того, были получены усилители мощности C-диапазона с выходной мощностью 10 Вт. Транзисторы продемонстрировали долговременную стабильность параметров в течение более 3500 часов при температуре 850С.скачать файл в формате .pdfВ ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены гетероструктуры GaAs для MESFET транзисторов на подложках диаметром 4 дюйма. Однородность слоевого сопротивления по пластине составляет +/- 0,75%. Воспроизводимость run-to-run в MESFET по напряжению отсечки не превышает +/-40 мВ.
скачать файл в формате .pdfВ ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены многослойные гетероструктуры в системе AlGaAs для ИК фотоприемников в диапазоне 8-10 мкм (в англоязычной литературе Quantum Well Infrared Photodetector — QWIP). Благодаря высокой однородности свойств QWIP гетероструктур ИК ФП матрицы на их основе продемонстрировали тепловое изображение без дополнительной обработки сигнала при температуре 70 К.
скачать файл в формате .pdfНа установке-прототипе STE3N3 получены гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением и каналом квантоворазмерной толщины, продемонстрировавшие подвижность >1100 см2/В с при слоевой концентрации 1.3*1013 см2, (результаты опубликованы в материалах 14 международного симпозиума «Nanostructures: Physics and Technology»).