ЗАО «НТО» примет участие в выставке RUSNANOTECH Expo 2011, которая пройдет в Москве с 26 по 28 октября 2011 г. в Экспоцентре по адресу: Краснопресненская наб., 14. Приглашаем всех желающих посетить наш стенд C9-1! На выставке будет продемонстрирована установка быстрого термического отжига STE RTA79, а также представлен наш новый продукт — Нанолаборатория.
ЗАО «НТО» выступило спонсором ХV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», проходившем с 14 по 18 марта в Нижнем Новгороде. Кроме того, заместитель начальника Прикладной лаборатории, к.ф.-м.н., С.И. Петров выступил на Симпозиуме с докладом «Специализированная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания гетероструктур III-N с высоким структурным совершенством».
скачать файл в формате .pdfВ ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3N2 были выращены многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных СВЧ-транзисторов. Однородность слоевого сопротивления по пластине диаметром 3 дюйма составляет +/- 1%.
На основе гетероструктур, выращенных на подложках карбида кремния в ЗАО «Светлана-Рост» были реализованы широкополосные усилители, работающие в диапазоне 30 МГц-4,0 ГГц с коэффициентом усиления (Gain) 17-25 дБ, выходной мощностью 2,5 Вт и КПД 30%.
Кроме того, были получены усилители мощности C-диапазона с выходной мощностью 10 Вт. Транзисторы продемонстрировали долговременную стабильность параметров в течение более 3500 часов при температуре 850С.скачать файл в формате .pdfВ ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены гетероструктуры GaAs для MESFET транзисторов на подложках диаметром 4 дюйма. Однородность слоевого сопротивления по пластине составляет +/- 0,75%. Воспроизводимость run-to-run в MESFET по напряжению отсечки не превышает +/-40 мВ.
скачать файл в формате .pdfЗАО «НТО» выиграло тендер на поставку системы молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N2 в Лабораторию Физики Твердого Тела (Индия, Дели).
Приглашаем всех желающих посетить наш стенд № G8-2 на III Международном Форуме «РОСНАНОТЕХ 2010», который пройдет с 1 по 3 ноября в Экспоцентре на Красной Персне. На стенде будет представлена инсталляция установки плазмохимического травления STE ICPe68L, встроенной в кластерную вакуумно-технологическую линию.
В ЗАО «Светлана-Рост» на установке МЛЭ STE3235 были выращены многослойные гетероструктуры в системе AlGaAs для ИК фотоприемников в диапазоне 8-10 мкм (в англоязычной литературе Quantum Well Infrared Photodetector — QWIP). Благодаря высокой однородности свойств QWIP гетероструктур ИК ФП матрицы на их основе продемонстрировали тепловое изображение без дополнительной обработки сигнала при температуре 70 К.
скачать файл в формате .pdfВ соответствии с решением акционеров с 27 сентября 2010 года на должность Генерального директора Закрытого Акционерного Общества «Научное и технологическое оборудование» (ЗАО «НТО») назначен Алексеев Алексей Николаевич.
С 19 по 24 сентября 2010 в Геленджике прошла Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии 2010», на которой был представлен совместный доклад представителей ЗАО «НТО» и Южного Федерального Университета «Комплексный подход к технологическому оснащению центра прикладных разработок. Опыт реализации в НОЦ \“Нанотехнологии“\ ЮФУ».
подробнее>>>